Integracija elektronike u tekstil je rastuće područje istraživanja koje će uskoro omogućiti proizvodnju pametnih tkanina i nosivu elektroniku. Dovođenjem ove tehnologije jedan korak bliže ostvarenju, Jin-Woo Han i Meyya Meyyappan u Centru za nanotehnologiju u NASA Ames istraživačkom centru u Moffett Field, Kalifornija, razvili su novu fleksibilnu memoriju utkanu u tkanine zajedno s nitima od bakra i žica od bakrenog oksida. Na svakom spoju, ili šavu, uzduž tkanine, između vlakana nalazi se nanostupanjski dio platine. Takva “sendvič struktura” na svakom križanju formira stabilnu memorijsku čeliju. Otpornička memorija je dobila mnogo pozornosti zbog jednostavnosti dizajna.
Kao što je opisano u AIP-om dnevniku AIP Advances, vlakna od bakarnog oksida služe kao medij za pohranu, jer imaju mogućnost promjene stanja od izolatora do vodiča jednostavnom promjenom narinutog napona. Bakrene žice i slojevi platine služe kao donja i gornja elektroda. Ovakav dizajn lako se primjenjuje na tekstilu, jer upravo tekstil, naravno, čini mrežu memorijske strukture gdje se vlakana sijeku. Istraživači su razvili reverzibilni, rewritable memorijski sustav koji je sposoban zadržati podatke više od 100 dana.
U ovom probnom konceptu izrade, bakrene žice su bile debljine jedan milimetar, a manji promjer žice će omogućiti povećanje gustoće memorije i smanjenje težine. U praktičnoj primjeni, e-tekstil bi trebao integrirati bateriju ili električni generator, senzor i računalne elemente, pa tako i memorijsku strukturu. Uzet zajedno, e-tekstil bi potencijalno mogao služiti za otkrivanje biomarkera za razne bolesti, pratiti vitalne znakove starijih osoba ili osoba u neprijateljskom okruženju, a zatim prenijeti tu informaciju liječnicima odnosno odgovornim osobama.
Članak: “Copper oxide resistive switching memory for e-textile” je objavljen u AIP Advances.
Autori: Jin-Woo Han (1) and Meyya Meyyappan (1).
(1) NASA Ames Research Center, Moffett Field, Calif.
Izvor:http://www.eurekalert.org/pub_releases/2011-09/aiop-egf092611.php
